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[experiment(실험)레포트(report) ] TFT 공정

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작성일 23-01-27 22:23

본문

▸ Cell 구조

✓기판에 묻어있는 particle 제거

레포트 > 자연과학계열

우리가 experiment(실험)에서 쓰인 TN N/W mode에 상대하여 간단히 설명(說明)하였다.
[experiment(실험)레포트(report) ] TFT 공정

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✓Align Mark를 지우는 이유 : 배향막이 코팅된 채로 합착과정을 거치면 align mark가 현미경에 잘 보이지 않는다. ✓solvent를 날려준다.
✓전극을 지우는 이유 : 배향막은 절연체이기 때문에 전기가 잘 통하게 하기 위해서 지워 준다.

✓구동전압을 맞추기 위해 배향막의 두께는 700~900Å으로 한다

▸배향막이란 패턴이 형성된 전극 위 표면에서 방향자의 방향을 결정하는 증착된 얇은 막으로써 이 막은 요구되는 질서도를 발생 시킨다.

✓Spin Coater를 통해 기판에 균일한 PI박막을 코팅하는 공정

장비를 이용하여 포통공정과 셀공정에 대해 배우고, 직접 장비를 사용하여 익혀본다. ▶ 실험 이론 우리가 실험에서 쓰인 TN N/W mode에 대해서 간단히 설명하였다. 장비를 이용하여 포통공정과 셀공정에 대해 배우고, 직접 장비를 사용하여 익혀본다.
✓spin dry로 IPA와 DI water를 이용해 세정한다.
▶ 실험 목적 Auto CAD 프로그램으로 자신이 직접 디자인한 Mask를 그려본다.
순서
▶ experiment(실험) 목적
▶ experiment(실험) 理論(이론)
설명

다. ▸ Cell 구조

✓NMP로 배향막을 지운 후 아세톤으로 NMP의 흔적을 지워준다.
TFT 공정,포통공정,셀공정
✓hot plate 110℃에서 1분 동안 경화

Auto CAD program으로 자신이 직접 디자인한 Mask를 그려본다.

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